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單??招痉粗C振光纖

簡要描述:單??招痉粗C振光纖
采用獨/特的光纖結構設計和制備工藝,使該光纖具有高帶寬、低損 耗、單模傳輸、抗彎曲等優點。

  • 產品品牌:其他品牌
  • 廠商性質:代理商
  • 更新時間:2022-12-07
  • 訪  問  量:1049

詳細介紹

品牌其他品牌價格區間面議
組件類別其他應用領域醫療衛生,環保,化工,電子,綜合

單??招痉粗C振光纖

產品名稱:單??招痉粗C振光纖(PI 涂覆)

產品型號:6C-SR-HCPCF35/250/270

產品批號:2021SR-HCPCF001

生產日期:2021.1


主要參數:

導光區間: 200 - 3500 nm(理論值)

傳輸損耗: @1060 nm <15 dB/km

光纖材料: 高純二氧化硅

纖芯直徑: 35 ± 2 μm

數值孔徑(NA): 0.02-0.03

包層直徑:250 ± 3 μm


主要性能:

采用獨/特的光纖結構設計和制備工藝,使該光纖具有高帶寬、低損 耗、單模傳輸、抗彎曲等優點。

(1)超寬導光區間:850 nm - 3.5 μm 一階導光窗口,200 -700 nm 等多個高階 導光窗口;

(2)近紅外低損耗:@1060 nm 1.3 μm 時,彎曲損耗可忽略 不計(彎曲直徑 15 cm 情況下測試)。

(3)單模傳輸特性:光纖長度 10 cm 以上,傳輸波長大于該光纖單模截至波 長(single-mode cut-off wavelength)約 800 nm 時,保持單模激發和單模傳輸;

(4)抗彎曲能力 :極低的彎曲損耗,工作波長>1.3 μm 時,彎曲損耗可忽略 不計(彎曲直徑 15 cm 情況下測試)。

參數附圖:

光纖截面:


傳輸譜(測試光源 400-1750 nm,被測光纖 20m):


偏移激發下的基模模場測試(@1064 nm & 1550 nm,長度 10 cm 光纖測試):




單??招痉粗C振光纖

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